MITSUBISHI 高頻模組

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雨昇 MITSUBISHI 高頻模組服務簡介

雨昇有限公司是台灣一家擁有超過29年經驗的專業MITSUBISHI 高頻模組生產代理銷售服務. 我們成立於西元1987年, 在電子零組件通路業領域上, 雨昇提供專業高品質的MITSUBISHI 高頻模組製造服務, 雨昇 總是可以達成客戶各種品質要求


MITSUBISHI 高頻模組

RA30H1721M

射頻功率MOSFET放大器模組, 無鉛品, 符合歐盟RoHS規範, 頻率範圍175-215MHz, 30W, 12.5V, 2級放大器, H2S

MITSUBISHI

• MITSUBISHI 高頻模組
• 矽射頻功率模組
• 12.5V運作大功率MOS FET模組
• 射頻模組
• 高頻SiRF器件
• RF Module
• 金屬氧化物半導體場效電晶體模組 (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Module, MOSFET Module)
• 三菱高頻矽器件支援無線通信網路
• 三菱高頻矽器件是針對頻率為數MHz到1GHz的移動無線通信設備發射段功率放大用的關鍵部件,有力地支援了無線通信網路,廣泛用於移動公務用無線電設備、業餘無線電設備以及車載資訊服務市場
• RA30H1721M是一個30W射頻(RF)MOSFET放大器高頻收發模組, 是用於12.5V其工作範圍在175-215MHz內移動無線電台(收音機). 電池可直接連接增強型MOSFET電晶體的汲極(洩極). 無閘極電壓(VGG = 0V)時, 僅小洩漏電流流進汲極(洩極), 並且射頻(RF)輸入訊息衰減到60dB. 輸出功率和汲極(洩極)電流隨著閘極電壓上升. 當閘極電壓約為4V(最小值), 輸出功率和汲極(洩極)電流大幅增加. 額定輸出功率可用在4V(典型值)和5V(最大值). 在VGG = 5V時, 典型閘極電流為1mA. 該模組專為用於非線性調頻(FM)模組設計, 也可通過設置靜態汲極(洩極)電流與閘極電壓, 用輸入功率控制輸出功率來用於線性模組

特點:
[1] 增強型MOSFET電晶體 (IDD ≅ 0 @ VDD = 12.5V, VGG = 0V)
[2] Pout > 30W, ηT > 40% @ VDD = 12.5V, VGG = 5V, Pin = 50mW
[3] 寬頻頻率範圍: 175-215MHz
[4] 低功率控制電流IGG = 1mA(典型值), 在VGG = 5V
[5] 模組尺寸: 66 x 21 x 9.88 mm
[6] 線性操作有可能通過設置靜態汲極(洩極)電流與閘極電壓用輸入功率控制輸出功率
[7] 無鉛類型
[8] 符合歐盟RoHS規範
• 汲極(洩極)電壓(VDD)(最大額定值): 17V(VGG < 5V , ZG = ZL = 50Ω)
• 閘極電壓(VGG)(最大額定值): 6V(VDD < 12.5V , Pin = 50mW , ZG = ZL = 50Ω)
• 輸入功率(Pin)(最大額定值): 100mW(f = 175-215MHz , VGG < 5V)
• 輸出功率(Pout)(最大額定值): 45W(f = 175-215MHz , VGG < 5V)
• 頻率範圍(f): 175-215MHz
• 汲極(洩極)電壓(VDD): 12.5V
• 輸入功率(Pin): 50mW
• 輸出功率(Pout)(最小值): 30W(VDD = 12.5V , VGG = 5V , Pin = 50mW)
• 總效率(ηT)(最小值): 40%(VDD = 12.5V , VGG = 5V , Pin = 50mW)
• 閘極電流(IGG)(典型值): 1mA(VDD = 12.5V , VGG = 5V , Pin = 50mW)
• 操作的情況下溫度範圍(Tcase)(op): -30°C 到 +110°C
• 儲存溫度範圍(Tstg): -40°C 到 +110°C
• 廠牌名稱: MITSUBISHI\
• 安裝形式: 通孔 / DIP(雙列直插封裝)
• 封裝類型: H2S
• 引腳數: 5
• 包裝: 防靜電托盤, 10個模組 / 盤
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