MITSUBISHI 高频模组

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雨昇 MITSUBISHI高频模组服务简介

雨昇有限公司是台湾一家拥有超过29年经验的专业MITSUBISHI高频模组生产代理销售服务.我们成立于西元1987年,在电子零组件通路业领域上, 雨昇提供专业高品质的MITSUBISHI高频模组制造服务, 雨昇总是可以达成客户各种品质要求


MITSUBISHI 高频模组

RA08H1317M

射频功率MOSFET放大器模组, 无铅品, 符合欧盟RoHS规范, 频率范围135-175MHz, 8W, 12,5V, 2级放大器, H46S

MITSUBISHI

• MITSUBISHI 高频模组• 矽射频功率半导体• 12.5V运作大功率MOS FET模组• 射频模组• 高频SiRF器件• RF Module
• 金属氧化物半导体场效电晶体模组(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor Module, MOSFET Module)
• 三菱高频矽器件支援无线通信网路• 三菱高频矽器件是针对频率为数MHz到1GHz的移动无线通信设备发射段功率放大用的关键部件,有力地支援了无线通信网路,广泛用于移动公务用无线电设备、业余无线电设备以及车载资讯服务市场• RA08H1317M是一个8W射频(RF)MOSFET放大器高频收发模组, 是用于12.5V其工作范围在135-175MHz内手提收音机. 电池可直接连接增强型MOSFET电晶体的汲极(泄极). 无闸极电压(VGG = 0V)时, 仅小泄漏电流流进汲极(泄极), 并且射频(RF)输入讯息衰减到60dB. 输出功率和汲极(泄极)电流随着闸极电压上升. 当闸极电压约为2.5V(最小值), 输出功率和汲极(泄极)电流大幅增加. 额定输出功率可用在3V(典型值)和3.5V(最大值). 在VGG = 3.5V时, 典型闸极电流为1mA. 该模组专为用于非线性调频(FM)模组设计, 也可通过设置静态汲极(泄极)电流与闸极电压, 用输入功率 控制输出功率来用于线性模组

特点:
[1] 增强型MOSFET电晶体(IDD ≅ 0 @ VDD = 12.5V, VGG = 0V)
[2] Pout > 8W @ VDD = 12.5V, VGG = 3.5V, Pin = 20mW
[3] ηT > 40% @ Pout = 8W (VGG control), VDD = 12.5V, Pin = 20mW
[4] 宽频频率范围: 135-175MHz
[5] 低功率控制电流IGG = 1mA(典型), 在VGG = 3.5V
[6] 模组尺寸: 30 x 10 x 5.4 mm
[7] 线性操作有可能通过设置静态汲极(泄极)电流与闸极电压用输入功率控制输出功率
[8] 无铅类型
[9] 符合欧盟RoHS规范• 汲极(泄极)电压(VDD)(最大额定值): 16V(VGG = 0V , Pin = 0W)
• 汲极(泄极)电压(VDD)(最大额定值): 13.2V(VGG < 3.5V)
• 闸极电压(VGG)(最大额定值): 4V(VDD < 12.5V, Pin < 20mW)
• 输入功率(Pin)(最大额定值): 40mW(f = 135-175MHz , ZG = ZL = 50Ω)
• 输出功率(Pout)(最大额定值): 10W(f = 135-175MHz , ZG = ZL = 50Ω)
• 频率范围(f): 135-175MHz
• 汲极(泄极)电压(VDD): 12.5V
• 输入功率(Pin): 20mW
• 输出功率(Pout)(最小值): 8W(VDD = 12.5V , VGG = 3.5V , Pin = 20mW)
• 总效率(ηT)(最小值): 40%(Pout = 8W (VGG control) , VDD = 12.5V , Pin = 20mW)
• 闸极电流(IGG)(典型值): 1mA(Pout = 8W (VGG control) , VDD = 12.5V , Pin = 20mW)
• 操作的情况下温度范围(Tcase)(op): -30°C 到+90°C
• 储存温度范围(Tstg): -40°C 到+110°C
• 厂牌名称: MITSUBISHI
• 安装形式: 通孔/ DIP(双列直插封装)
• 封装类型: H46S
• 引脚数: 5
• 包装: 防静电托盘, 50个模组/ 盘• 相容其他无线通信产品• 射频功率MOSFET放大高频模组大量现货供应• 我们供应各种各式各样的电子零件繁多,欢迎洽询

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