MITSUBISHI MOSFET Leistungsverstärker-HF-Module

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Up Teks MITSUBISHI MOSFET Leistungsverstärker HF-Module Service Einleitung

UP TEKS CO., LTD. ist Taiwan MITSUBISHI MOSFET-Leistungsverstärker-RF-Modul-Lieferant und Hersteller mit mehr als 29 Jahren Erfahrung. Seit 1987 bietet Up Teks in der Branche der elektronischen Bauelemente unseren Kunden einen qualitativ hochwertigen MITSUBISHI MOSFET-Leistungsverstärker für HF-Module. Mit fortschrittlicher Technologie und 29 Jahren Erfahrung stellt Up Teks sicher, dass die Anforderungen jedes Kunden erfüllt werden.


MITSUBISHI MOSFET Leistungsverstärker-HF-Module

RA30H1721M

HF-Leistungs-MOSFET-Verstärkermodul, RoHS-konform, 175-215 MHz, 30 W, 12,5 V, 2-stufiger Amp. für Mobilfunk, H2S

MITSUBISHI

• MITSUBISHI RF-Modul
• HF-Leistungsmodule aus Silizium
• 12,5 V HF-Hochleistungs-MOS-FET-Modul
• Hochfrequenzmodul
• Si Power-HF-Module
• HF-Verstärker-Power-MOSFET-Module
• Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor-Modul, MOSFET-Modul
• Mitsubishi Silicon RF-Geräte unterstützen drahtlose Kommunikationsnetzwerke
• Mitsubishi Silicon RF-Geräte, die die Schlüsselkomponenten für die Leistungsverstärkung der Übertragungsstufe mobiler drahtloser Kommunikationsgeräte im Hochfrequenzbereich von mehreren MHz bis 1 GHz darstellen, unterstützen drahtlose Kommunikationsnetze mit einer breiten Produktpalette, z. B. professionelle professionelle Funkgeräte für Behörden, Amateurfunkgeräte und den Bordmarkt für Fahrzeugtelematik
• Der RA30H1721M ist ein 30-Watt-HF-MOSFET-Verstärkermodul für 12,5-Volt-Mobilfunkgeräte, die im Bereich von 175 bis 215 MHz arbeiten. Die Batterie kann direkt mit dem Drain der Anreicherungs-MOSFET-Transistoren verbunden werden. Ohne die Gatespannung (VGG = 0V) fließt nur ein geringer Leckstrom in den Drain, und das HF-Eingangssignal dämpft bis zu 60 dB. Die Ausgangsleistung und der Drainstrom nehmen mit steigender Gatespannung zu. Bei einer Gatespannung um 4 V (Minimum) steigen Ausgangsleistung und Drainstrom erheblich an. Die Nennausgangsleistung steht bei 4 V (typisch) und 5 V (maximal) zur Verfügung. Bei VGG = 5 V beträgt der typische Gatestrom 1 mA. Dieses Modul ist für die nichtlineare FM-Modulation ausgelegt, kann jedoch auch für die lineare Modulation verwendet werden, indem der Drain-Ruhestrom mit der Gatespannung eingestellt wird und die Ausgangsleistung mit der Eingangsleistung gesteuert wird

Eigenschaften:
[1] MOSFET-Transistoren vom Anreicherungstyp (IDD ≅ 0 @ VDD = 12,5 V, VGG = 0 V)
[2] Pout> 30W, ηT> 40% bei VDD = 12,5 V, VGG = 5 V, Pin = 50 mW
[3] Breitbandfrequenzbereich: 175-215 MHz
[4] Steuerstrom mit geringer Leistung IGG = 1 mA (typ.) Bei VGG = 5 V
[5] Modulgröße: 66 x 21 x 9,88 mm
[6] Ein linearer Betrieb ist möglich, indem der Ruhestrom mit der Gatespannung eingestellt und die Ausgangsleistung mit der Eingangsleistung gesteuert wird
[7] Bleifreier Typ
[8] RoHS-konform
• Drainspannung (VDD) (max.ratings): 17 V (VGG <5 V, ZG = ZL = 50Ω)
• Gate-Spannung (VGG) (max.ratings): 6 V (VDD <12,5 V, Pin = 50 mW, ZG = ZL = 50 Ω)
• Eingangsleistung (Pin) (max.ratings): 100 mW (f = 175-215 MHz, VGG <5 V)
• Ausgangsleistung (Pout) (max.ratings): 45 W (f = 175-215 MHz, VGG <5 V)
• Frequenzbereich (f): 175-215 MHz
• Drainspannung (VDD): 12,5 V
• Eingangsleistung (Pin): 50 mW
• Ausgangsleistung (Pout) (Min): 30 W (VDD = 12,5 V, VGG = 5 V, Pin = 50 mW)
• Gesamtwirkungsgrad (ηT) (Min): 40% (VDD = 12,5 V, VGG = 5 V, Pin = 50 mW)
• Gata-Strom (IGG) (Typ): 1 mA (VDD = 12,5 V, VGG = 5 V, Pin = 50 mW)
• Temperaturbereich des Betriebsfalls (Tcase) (Betrieb): -30 ° C bis + 110 ° C
• Lagertemperatur (Tstg): -40 ° C bis + 110 ° C
• Markenname: MITSUBISHI
• Montagetyp: Durchgangsbohrung / DIP (Dual-In-Line-Paket)
• Paketübersicht: H2S
• Lead Count: 5
• Verpackung: Antistatisches Tablett, 10 Module / Tablett
• Kompatibel mit vielen anderen drahtlosen Kommunikationsprodukten
• HF-Leistungs-MOSFET-Verstärkermodule Mass Stock
• Wir liefern verschiedene elektronische Komponenten und freuen uns auf Ihre Anfrage

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